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IRF7201TR(UMW)
N沟道 耐压:30V 电流:7.3A
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- 描述
- SOP-8经过定制引线框架改进，具有增强的热特性和多芯片能力，适用于各种电源应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装设计适用于气相、红外或波峰焊技术。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF7201TR(UMW)
- 商品编号
- C22469447
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.198633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V；50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品概述
SOP-8 封装通过采用定制的引线框架进行了改进，以增强热特性和实现多芯片能力，使其成为各种功率应用的理想选择。通过这些改进，可以在应用中采用多个器件，同时显著减少电路板占用空间。该封装设计适用于气相、红外或波峰焊接技术。
商品特性
- V_DS(V) = 30V
- I_D = 7.3A
- R_DS(ON) < 30mΩ (V_GS = -10V)
- R_DS(ON) < 50mΩ (V_GS = -4.5V)
- 第五代技术
- 超低导通电阻
- 表面贴装
- 动态 dv/dt 额定值
- 快速开关
- 无铅