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HL3401
P沟道,电流:-4.4A,耐压:-30V
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- 描述
- 特性：VDS = -30V。I0 = -4.4A。RDS(on)@VGS = -10V < 55mΩ。RDS(on)@VGS = -4.5V < 68mΩ。RDS(on)@VGS = -2.5V < 96mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。应用：电池保护。负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL3401
- 商品编号
- C22469449
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30 V
- 漏极电流(ID) = -4.4 A
- 栅源电压(VGS)为 -10 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 55 mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -4.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 68 mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -2.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 96 mΩ
- 沟槽功率低压 MOSFET 技术
- 高速开关
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理