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3P10
耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V):-100 阈值电压VGS:±20 Vth(V):-1.2～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):180/210 连续漏极电流ID(A):-3A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 3P10
- 商品编号
- C22468082
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045588克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.228nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%保证抗雪崩能力
应用领域
- 脉宽调制（PWM）应用
- 硬开关和高频电路
- 电源管理
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