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S400N06HTL实物图
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S400N06HTL

N沟道,电流:400A,耐压:60V

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描述
平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):60 阈值电压VGS:±20 Vth(V):2~4导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.25 连续漏极电流ID(A):400A
品牌名称
HL(富海微)
商品型号
S400N06HTL
商品编号
C22468083
商品封装
TOLL-8L​
包装方式
编带
商品毛重
1.0349克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)400A
导通电阻(RDS(on))1.25mΩ@10V
耗散功率(Pd)454.5W
阈值电压(Vgs(th))2.9V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)102nC@10V
输入电容(Ciss)5.99nF
反向传输电容(Crss)86pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)2.257nF

商品特性

  • 快速开关
  • 低栅极电荷和导通电阻(Rdson)
  • 100%单脉冲雪崩能量测试

应用领域

  • PWM应用
  • 硬开关和高频电路
  • 电源管理

数据手册PDF