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H2SK3078A
1个N沟道 耐压:12V 电流:0.5A
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- 描述
- 这款高频场效应晶体管为N沟道类型，漏源电压12V，连续漏极电流0.5A，功率3W。适用于各类小型电子设备，在高频电路中表现出色。可用于信号放大、开关控制等，满足多种日常电子设备的高频电路需求。
- 商品型号
- H2SK3078A
- 商品编号
- C22461936
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1459克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@0.5mA | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SSM3J332R采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.2A
- RDS(ON) < 54mΩ（VGS = 10V时）
- RDS(ON) < 77mΩ（VGS = 4.5V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源