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HRUM002N02T2L
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.2A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET，设计精巧，耐压高达20V，可承载1.2A电流，展现优异功率管理。内阻最大仅260mΩ，保证低能耗高效率，是追求精细控制与稳定输出的电子设计中，不可或缺的高性能元件。
- 商品型号
- HRUM002N02T2L
- 商品编号
- C22461928
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0063克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- VDS = 20 V,ID = 1.2 A
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 260 mΩ
- 当VGS = 2.5 V时,RDS(ON) < 350 mΩ
- 静电放电等级:1500V HBM
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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