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HTC4427AEOA713

工作范围:4.5V-5.5V 输入负压:-5V 输出峰值:2A

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描述: 这款高性能栅极驱动IC，宽泛的工作电压区间4.5V至25V，搭配2A峰值输出电流能力，为各类电路提供强大驱动力。其-5V的最大输入负压承受能力，提升了系统兼容性和鲁棒性，是实现精密控制与高效能转换的优选组件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HTC4427AEOA713
商品编号: C22449575
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.119192克(g)

商品参数

商品概述

HTC4427AEOA713是一款功率开关驱动器。它在对功率开关栅极进行充放电时，具备匹配的上升和下降时间。该芯片在其额定功率和电压范围内的任何条件下均表现出高度的抗闩锁能力。当接地引脚上出现高达5V（任意极性）的噪声尖峰时，芯片不会受损。该芯片可承受高达500mA的反向灌电流而不会导致损坏或逻辑混乱。所有端子均提供全面的静电放电保护，最高可达2.0kV。

商品特性

闩锁保护：可承受0.5A反向电流
输入逻辑保护低至-10V
低输出阻抗
单芯片集成双通道驱动器
输出峰值电流：2A
工作电压范围：4.5V ~ 25V
最大输入电压可达5V
高容性负载驱动能力：在1nF负载下，开关时间小于25ns
匹配的上升/下降时间
传播延迟：40ns
宽工作温度范围：-40℃ ~ 125℃
芯片导通/关断延迟特性：Ton/Toff = 70ns/70ns
符合RoHS标准，采用SOP-8封装

应用领域

交换式电源
开关变换器
线路驱动器
脉冲变压器驱动
驱动MOSFETs和IGBTs

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2A
	拉电流(IOH)	2A
	工作电压	4.5V~20V
	上升时间(tr)	30ns
	下降时间(tf)	30ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	40ns
	传播延迟 tpHL	40ns
	特性	-
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.4V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	1mA
	功能特性	-