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IXTA1N120P
1200V N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：国际标准封装。 非钳位感性开关（UIS）额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。应用：开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTA1N120P
- 商品编号
- C22443594
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换相时的出色耐用性以及优异的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
-国际标准封装-具备非箝位感性开关 (UIS) 额定值-封装电感低-易于驱动和保护-易于安装-节省空间-功率密度高
应用领域
-开关模式和谐振模式电源-DC-DC 转换器-激光驱动器-交流和直流电机控制-机器人和伺服控制