温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXTF1N450
N沟道 耐压:4500V 电流:0.9A
- 描述
- 特性：硅芯片采用直接铜键合（DCB）基板。 隔离安装表面。 4500V~电气隔离。 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性分类。 高压封装。 易于安装。应用：高压电源。 电容放电应用
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTF1N450
- 商品编号
- C22443601
- 商品封装
- PAK-i4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.572克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 4.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |