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20N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 具有高耐压、大电流、低导通电阻特点，广泛应用于电源管理、电机驱动及汽车电子领域。
- 品牌名称
- JUXING(钜兴)
- 商品型号
- 20N06
- 商品编号
- C22440679
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.481565克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WSD3084DN33采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。 WSD3084DN33符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100% EAS保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源