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ISOM8110DFGR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ISOM8110DFGR

具有 100% 至 155% CTR 的直流输入、晶体管输出、单通道光耦仿真器

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描述
ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器,也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件,无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。 与光耦合器相比,ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势,包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制,从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化,因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装,支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性,因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
ISOM8110DFGR
商品编号
C22431318
商品封装
SOIC-4​
包装方式
编带
商品毛重
0.128克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录晶体管输出光耦
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.2V
输出电流50mA
隔离电压(Vrms)3.75kV
直流反向耐压(Vr)7V
负载电压80V
输出通道数1
属性参数值
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@20mA,1mA
上升时间(tr)3.2us
下降时间4us
工作温度-55℃~+125℃
电流传输比(CTR)最小值100%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值155%
总功耗(Pd)290mW
正向电流(If)50mA

商品概述

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器,也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件,无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。 与光耦合器相比,ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势,包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制,从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化,因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC - 4 封装,支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0 - 3]) 和双向直流 (ISOM811[5 - 8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性,因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

商品特性

  • 业界通用光晶体管光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版
  • 单通道 LED 仿真器输入 lF = 5mA、VCE = 5V 时的电流传输比 (CTR):
    • ISOM8110、ISOM8115: 100% 至 155%
    • ISOM8111、ISOM8116:150% 至 230%
    • ISOM8112、ISOM8117:255% 至 380%
    • ISOM8113、ISOM8118:375% 至 560%
  • 高集电极 - 发射极电压:VCE(最大值) = 80V
  • 稳健 SiO₂ isolation barrier
    • 隔离等级:高达 5000VRMS
    • 工作电压:高达 750VRMS、1061VPK
    • 浪涌能力:高达 10kV PK
  • 温度范围: - 55°C 至 125°C
  • 响应时间:VCE = 10V、lC = 2mA、RL = 100Ω 时为 3μs(典型值)
  • 安全相关认证 (计划)
    • 符合由 VDE 按 DIN EN IEC 60747 - 17 (VDE0884 - 17) 标准进行的认证
    • UL 1577 认证,3750VRMS 和 5000VRMS 隔离
    • IEC 62368 - 1、IEC 61010 - 1 认证

应用领域

  • 开关电源
  • 可编程逻辑控制器 (PLC)
  • 工厂自动化与控制
  • 数据采集
  • 电机驱动 I/O 和位置反馈

优惠活动

购买数量

(2000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个2000个/圆盘

总价金额:

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