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LM2103DR
紧凑型高压栅极驱动器，用于驱动高边和低边N沟道MOSFET，适用于同步降压或半桥配置，具有反相输入和固定死区时间。
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM2103DR
- 商品编号
- C22428474
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 800mA | |
| 拉电流(IOH) | 500mA | |
| 工作电压 | 9V~18V | |
| 上升时间(tr) | 28ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 18ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.45V~2V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.35V | |
| 静态电流(Iq) | 430uA |
商品概述
LM2103是一款紧凑型高压栅极驱动器，设计用于在同步降压或半桥配置中驱动高端和低端N沟道MOSFET。INL反相输入使该驱动器可用于双PWM输入或单PWM输入应用。 固定死区时间以及SH引脚可处理 -1V直流和 -19.5V瞬态负电压，提高了高噪声应用中系统的稳健性。LM2103采用8引脚SOIC封装，引脚排列与行业标准兼容。在低端和高端电源轨上均设有欠压锁定（UVLO）功能，用于在电源启动和关闭期间提供保护。
商品特性
- 以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET
- GVDD上典型8V欠压锁定
- BST上绝对最大电压为107V
- SH上可处理绝对最大负瞬态电压 -19.5V
- 峰值源/灌电流为0.5A/0.8A
- 典型固定内部死区时间为475ns
- 内置交叉导通防护
- 典型传播延迟为115ns
- 具有反相输入引脚INL
应用领域
- 无刷直流（BLDC）电机
- 永磁同步电机（PMSM）
- 伺服和步进电机驱动器
- 无线吸尘器
- 无线园艺和电动工具
- 电动自行车和电动滑板车
- 电池测试设备
- 离线不间断电源（UPS）
- 通用MOSFET或IGBT驱动器