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IMBG120R078M2HXTMA1
碳化硅MOSFET，低开关损耗，抗寄生导通，体二极管耐用，XT互连技术
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG120R078M2HXTMA1
- 商品编号
- C22417582
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 耗散功率(Pd) | 158W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 10.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 28pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78.1mΩ |
商品特性
- V_DSS = 1200 V，T_vj = 25°C
- I_DDC = 21 A，T_C = 100°C
- R_DS(on) = 78.1 mΩ，V_GS = 18 V，T_vj = 25°C
- 开关损耗极低
- 过载工作温度可达 T_vj = 200°C
- 短路耐受时间 2 μs
- 基准栅极阈值电压，V_GS(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加 0 V 关断栅极电压
- 适用于硬换流的坚固体二极管
- 采用 .XT 互连技术，实现的散热性能
应用领域
- 电动汽车充电
- 在线式UPS/工业UPS
- 组串式逆变器
- 通用驱动器