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IMBG120R040M2HXTMA1
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- 描述
- 特性：VDSS = 1200 V at TVj = 25℃。 IDDC = 36 A at TC = 100℃。 RDSS(on) = 39.6 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25℃。 非常低的开关损耗。 过载运行可达 TVj = 200℃。 短路耐受时间 2 μs。应用：EV 充电。 在线 UPS/工业 UPS
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG120R040M2HXTMA1
- 商品编号
- C22417919
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39.6mΩ |
商品特性
- VDSS = 1200 V at TVj = 25℃
- IDDC = 36 A at TC = 100℃
- RDSS(on) = 39.6 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25℃
- 非常低的开关损耗
- 过载运行可达 TVj = 200℃
- 短路耐受时间 2 μs
- 基准栅极阈值电压，VDDC(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加 0 V 关断栅极电压
- 用于硬换向的坚固体二极管
- XT 互连技术，实现一流的热性能
应用领域
- EV 充电
- 在线 UPS/工业 UPS
- 串式逆变器
- 通用驱动器 (GPD)
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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