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IMBG120R022M2HXTMA1
IMBG120R022M2HXTMA1
- 描述
- 特性：VDSS = 1200 V at Tvj = 25℃。 IDDC = 62 A at Tc = 100℃。 RDS(on) = 21.6 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25℃。 极低的开关损耗。 过载运行可达 Tvj = 200℃。 短路耐受时间 2 μs。应用：EV 充电。 在线 UPS/工业 UPS
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG120R022M2HXTMA1
- 商品编号
- C22417666
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 87A | |
| 耗散功率(Pd) | 385W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21.6mΩ |
交货周期
订货10-15个工作日购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个1000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单