- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMBG120R022M2HXTMA1
1200V SiC MOSFET G2
- 描述
- 特性：VDSS = 1200 V at Tvj = 25℃。 IDDC = 62 A at Tc = 100℃。 RDS(on) = 21.6 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25℃。 极低的开关损耗。 过载运行可达 Tvj = 200℃。 短路耐受时间 2 μs。应用：EV 充电。 在线 UPS/工业 UPS
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG120R022M2HXTMA1
- 商品编号
- C22417666
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 87A | |
| 耗散功率(Pd) | 385W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21.6mΩ |
商品概述
引脚定义：引脚1为栅极，引脚2为开尔文检测触点，引脚3至7为源极，基板为漏极。注意：源极引脚和检测引脚不可互换，互换可能导致故障。
商品特性
- 漏源击穿电压 V_DSS = 1200 V，在结温 T_vj = 25℃ 条件下
- 连续漏极电流 I_DDC = 62 A，在壳温 T_C = 100℃ 条件下
- 导通电阻 R_DSS(on) = 21.6 mΩ，在栅源电压 V_GS = 18 V、结温 T_vj = 25℃ 条件下
- 极低的开关损耗
- 过载工作结温可达 T_vj = 200℃
- 短路耐受时间为 2 μs
- 基准栅极阈值电压 V_DDC(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加 0 V 关断栅极电压
- 体二极管坚固，适用于硬换流
- 采用XT互连技术，实现同类的散热性能
应用领域
- 电动汽车充电
- 在线式不间断电源/工业不间断电源
- 组串式逆变器
- 通用驱动器