UCC5880QDFCRQ1
UCC5880QDFCRQ1
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- 描述
- UCC5880-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式栅极驱动器,具有可调驱动强度,旨在电动汽车/混合动力汽车应用中用于驱动高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护功能,例如基于分流电阻的过流保护、过热保护(PTC、NTC 或二极管)以及 DESAT 检测,包括在这些故障期间可选择的软关断或两级软关断。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达 2 个模拟输入、VCC2、DESAT 以及栅极驱动器温度,从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL 标准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 进行配置,因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC5880QDFCRQ1
- 商品编号
- C22411820
- 商品封装
- SSOP-32
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 负载类型 | IGBT;MOSFET | |
| 通道数 | 2 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~5.5V | |
| 拉电流(IOH) | 15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 灌电流(IOL) | 15A | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) | |
| CMTI(kV/us) | 150kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 15V~30V |
商品概述
UCC5880-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式栅极驱动器,具有可调驱动强度,旨在电动汽车/混合动力汽车应用中用于驱动高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护功能,例如基于分流电阻的过流保护、过热保护(PTC、NTC 或二极管)以及 DESAT 检测,包括在这些故障期间可选择的软关断或两级软关断。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达 2 个模拟输入、VCC2、DESAT 以及栅极驱动器温度,从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL 标准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 进行配置,因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。
商品特性
- 具有实时可变驱动强度的双路输出驱动器
- ±15A 和 ±5A 驱动电流输出
- 用于在没有 SPI 时进行驱动强度调整的数字输入引脚 (GD*)
- 3 电阻设置 R1、R2 或 R1||R2
- 用于米勒钳位晶体管的集成式 4A 有源米勒钳位或可选的外部驱动器
- 支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)
- 内部和外部电源欠压和过压保护
- 驱动器内核温度检测和过热保护
- 短路保护:针对 DESAT 事件具有 110ns 响应时间,DESAT 保护 – 可承受高达 14V 的电压,基于分流电阻器的短路 (SC) 和过流 (OC) 保护,可配置保护阈值和消隐时间,可编程软关断 (STO) 和两级软关断 (2STO) 电流
- 集成 10 位 ADC
- 能够测量电源开关温度、直流链路电压、驱动器内核温度、DESAT 引脚电压、VCC2 电压
- 可编程数字比较器
- 高级 VCE/VDS 钳位电路
- 符合功能安全标准
- 专为功能安全应用开发
- 有助于使 ISO 26262 系统设计符合 ASIL D 要求的文档
应用领域
- 电动汽车和混合动力汽车牵引逆变器
- 电动汽车和混合动力汽车电源模块
