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MMP60R190PTH实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MMP60R190PTH

MMP60R190PTH

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商品型号
MMP60R190PTH
商品编号
C22403372
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.727333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))170mΩ@10V
耗散功率(Pd)154W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)51nC@10V
输入电容(Ciss)1.63nF
反向传输电容(Crss)74pF
类型N沟道
输出电容(Coss)1.25nF

商品概述

MMP60R190P是一款采用美格纳半导体(Magnachip)先进超结技术的功率MOSFET,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术,它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能降低开关损耗,还为设计师带来低电磁干扰(EMI)的优势。

商品特性

  • 高速开关和低导通电阻实现低功率损耗
  • 100%雪崩测试
  • 环保封装 - 无铅电镀、无卤素

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)电源级
  • 开关应用
  • 适配器
  • 电机控制
  • DC-DC转换器

数据手册PDF