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MDF13N65BTH
MDF13N65BTH
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- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MDF13N65BTH
- 商品编号
- C22403483
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.987克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 243pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12.8pF |
商品概述
这些N沟道MOSFET采用先进的MOSFET技术制造，具备低导通电阻、高开关性能和卓越品质。 这些器件适用于开关电源、高速开关和通用应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 650 V
- 漏极电流（ID） = 14 A
- 导通电阻（RDS(ON)） ≤ 0.46Ω
- @ 栅源电压（VGS） = 10 V
- @ 栅源电压（VGS） = 10V
应用领域
- 电源-功率因数校正(PFC)-大电流、高速开关