- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MMD80R900PRH
MMD80R900PRH
- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MMD80R900PRH
- 商品编号
- C22403528
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 574pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 508pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
MMD80R900P是一款功率MOSFET,采用了Magnachip先进的超结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术,它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能降低开关损耗,还能为设计人员带来低电磁干扰(EMI)的优势。
商品特性
- 高速开关和低导通电阻实现低功率损耗
- 100%雪崩测试
- 环保封装 - 无铅电镀、无卤素
应用领域
-PFC电源级-开关应用-适配器-电机控制-DC-DC转换器