TN0104N8

商品概述

TN0104低阈值、增强型(常开)晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体(DMOS)结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力,以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的典型特征,该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。

微芯科技(Microchip)的垂直DMOS场效应晶体管(FET)非常适合广泛的开关和放大应用,这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。