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IXTH1N450HV
N沟道 4.5kV 1A
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- 描述
- 特性：高阻断电压。 高压封装。 易于安装。 节省空间。 高功率密度。应用：高压电源。 电容放电应用
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTH1N450HV
- 商品编号
- C22397813
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 4.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 耗散功率(Pd) | 520W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FH4602KC采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关，以及其他多种应用。
商品特性
- N沟道：VDS = 20 V， ID = 5.8 A
- 导通电阻RDS(ON)（典型值） = 17 mΩ @ VGS = 4.5 V
- 导通电阻RDS(ON)（典型值） = 19 mΩ @ VGS = 2.5 V
- P沟道：VDS = -20 V， ID = -4.2 A
- 导通电阻RDS(ON)（典型值） = 29 mΩ @ VGS = -4.5 V
- 导通电阻RDS(ON)（典型值） = 36 mΩ @ VGS = -2.5 V
应用领域
- 高频开关和同步整流-DC/DC转换器-表面贴装封装