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IXFH6N120P
1200V N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：国际标准封装。 动态dv/dt额定值。 雪崩额定值。 快速本征二极管。 低栅极电荷QG和低导通电阻RDS(on)。 低漏极到管壳电容。应用：DC-DC转换器。 电池充电器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFH6N120P
- 商品编号
- C22397816
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.754839克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.75Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.83nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
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