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MMUN5311DW
双偏置电阻晶体管
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- 描述
- 偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，这两个电阻分别是基极串联电阻和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了它们
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- MMUN5311DW
- 商品编号
- C22391952
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 385mW | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 35 | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品概述
偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个基极串联电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，从而省去了这些组件。在MMUN5311DW系列中，两个互补的BRT器件封装在SOT - 363封装中，这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用而言是理想选择。
商品特性
-简化电路设计-减少电路板空间-减少元件数量-我们声明产品材料符合RoHS要求。