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YFW3416
N沟道增强型场效应晶体管
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- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW3416
- 商品编号
- C22391974
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 采用高密单元设计,实现极低的导通电阻RDS(on)。
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力。
- 负载/电源开关。
- 接口开关。
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理开关
- 锂离子二次电池