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IPD25CN10NG-VB
N沟道 耐压:100V 电流:45A
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- 描述
- TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPD25CN10NG-VB
- 商品编号
- C22389922
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.495克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 初级侧开关
- 隔离式DC/DC转换器
- IPP50N10S3L-16-VB
- IRF8707GTRPBF-VB
- IRLR3105TRLPBF-VB
- K3067-VB
- MTP12N20-VB
- NP22N055SLE-E1-AZ-VB
- NP55N04SUG-E1-AY-VB
- NP88N04NHE-VB
- NTR3162PT1G-VB
- PA002FMG-VB
- PSMN038-100K-VB
- RSJ400N06TL-VB
- SI4406DY-T1-E3-VB
- SI4816DY-T1-E3-VB
- SM2004NSD-VB
- MSPM0G3507SPMR
- PXT3904(RANGE:100-300)
- ESD5621W
- ZM4744A
- KNTC0603/10KJ3380
- PESDNC2FD5VB