温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTD4858NAG-VB
N沟道 耐压:20V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,20V；100A；RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=4.5V,VGS=15V；Vth=0.5~1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTD4858NAG-VB
- 商品编号
- C22389332
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 375pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 730pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤标准
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100%进行了Rq测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 机顶盒-低电流DC/DC