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Si4501BDY-T1-GE3-VB
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；11/-10.5A；RDS(ON)=11/21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1 / -0.9~2.2/-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- Si4501BDY-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C22389952
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A；10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V；21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA；2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.3nC@10V；13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.421nF；1.515nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 254pF；25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 755pF；800pF |
优惠活动
购买数量
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