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P3503EVG-VB

P沟道 耐压:30V 电流:5.8A

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描述
SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
P3503EVG-VB
商品编号
C22389937
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.24克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))33mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
栅极电荷量(Qg)16nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

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