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IRL3302SPBF-VB
N沟道 耐压:20V 电流:85A
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- 描述
- TO263；N—Channel沟道,20V；85A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.6V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRL3302SPBF-VB
- 商品编号
- C22389320
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V；9mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 600pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.15nF |
商品特性
- 结温175 °C
- 沟槽功率MOSFET
- 符合RoHS标准
- N沟道MOSFET