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IPP35CN10N G-VB
场效应管 （MOSFET)
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,100V；55A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPP35CN10N G-VB
- 商品编号
- C22389310
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
-沟槽功率MOSFET-结温175 °C-低热阻封装-符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流-电源