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FQPF10N90C-VB
N沟道 耐压:900V 电流:9A
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,900V；9A；RDS(ON)=600mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQPF10N90C-VB
- 商品编号
- C22389723
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.227nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
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起订量：1 个1个/管
总价金额：
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