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IPD70N04S3-07-VB

N沟道 耐压:40V 电流:85A

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描述
TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IPD70N04S3-07-VB
商品编号
C22389732
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.475克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)85A
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V；6.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)312W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)80nC@10V
输入电容(Ciss)2.38nF
反向传输电容(Crss)250pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)550pF

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