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NTD4906NG-VB
N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTD4906NG-VB
- 商品编号
- C22389742
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.485克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 235W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.201nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.525nF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 采用低热阻封装
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC