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IPB080N03LG-VB
N沟道 耐压:30V 电流:98A
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- 描述
- TO263；N—Channel沟道,30V；98A；RDS(ON)=2.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPB080N03LG-VB
- 商品编号
- C22389414
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 257nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品可选
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻（Rg）测试
- 100% 进行非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合 RoHS 标准
- 无卤产品可选
应用领域
- 负载开关-笔记本电脑-台式电脑