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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WPM2016-VB

1个N沟道 耐压:20V 电流:6A

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描述
SOT23;N—Channel沟道,20V;6A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=0.45~1V;
商品型号
WPM2016-VB
商品编号
C22389138
商品封装
SOT-23(TO-236)​
包装方式
编带
商品毛重
0.044克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.8nC@4.5V
输入电容(Ciss)865pF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)105pF

商品特性

  • 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤标准
  • 沟槽功率 MOSFET
  • 针对“低端”同步整流器操作进行优化
  • 100%进行 Rg 和 UIS 测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 提供无卤版本

应用领域

  • 冷阴极荧光灯管(CCFL)逆变器

数据手册PDF