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KMB010P30QA-VB
P沟道 耐压:30V 电流:11.6A
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- 描述
- SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- KMB010P30QA-VB
- 商品编号
- C22389155
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V；12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V；22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 325pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 表面贴装
- 薄型通孔封装
- 提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 150°C工作温度
- 快速开关
- 完全雪崩额定
- 符合RoHS指令2002/95/EC