温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPB100N04S3-03-VB
N沟道 耐压:40V 电流:150A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,40V；150A；RDS(ON)=1.7mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPB100N04S3-03-VB
- 商品编号
- C22389140
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC