温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V
- 漏极电流（ID） = 340 mA
- 栅源电压（VGS） = 10V 时，导通电阻（RDS(on)） < 5Ω
- 栅源电压（VGS） = 4.5V 时，导通电阻（RDS(on)） < 5.3Ω
- 静电放电（ESD）保护
- 坚固可靠
- 采用高密度单元设计，实现低导通电阻（RDS(ON)）
应用领域
- 电池供电系统-固态继电器-直接逻辑电平接口:TTL/CMOS