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AO6800
双N沟道MOSFET
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- 描述
- AO6800采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能够在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- KUU
- 商品型号
- AO6800
- 商品编号
- C22381406
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0371克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 超低导通电阻
- 提供卷带包装
应用领域
- 便携式设备负载开关
- DC/DC转换器
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