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WGF65R900G
650V SJMOS N沟道MOSFET
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- 描述
- 这是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，为线路提供更高的效率。可快速应用于新的和现有的离线电源设计中
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGF65R900G
- 商品编号
- C22376116
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 327pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 超结技术
- 更低的导通电阻×面积(Ron*A)性能,提高导通效率
- 极低的品质因数(FOM),效率更高
- 超快速小二极管
- 漏源击穿电压(VDSS)=650V,漏极电流(ID)=6A
- 栅源电压(VG)=10V 时,导通电阻(RDS(on)):0.78 Ω(典型值)
- TO-220F 封装
- 符合 RoHS 标准
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