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WGF65R360G
650V超结N沟道MOSFET
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- 描述
- 这是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，为线路提供更高的效率。可快速应用于新的和现有的离线电源设计中
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGF65R360G
- 商品编号
- C22376118
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 742pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
该器件是具有极高单元密度的高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的 RDS(ON) 和栅极电荷。 该器件符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证 EAS，且经过全面功能可靠性认证。
商品特性
- 在 VGS = -10V 时，RDS(ON) = 30 mΩ
- 在 VGS = -4.5V 时，RDS(ON) = 40 mΩ
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 100% 保证 EAS
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 主板 / 显卡 / 核心电压
- 负载点 (POL) 应用
- 负载开关
- LED 应用
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