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WGF65R360G
650V超结N沟道MOSFET
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- 描述
- 这是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，为线路提供更高的效率。可快速应用于新的和现有的离线电源设计中
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGF65R360G
- 商品编号
- C22376118
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 742pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
该器件是具有极高单元密度的高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的 RDS(ON) 和栅极电荷。 该器件符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证 EAS，且经过全面功能可靠性认证。
商品特性
- 超结技术
- 更低的导通电阻×面积(Ron*A)性能,提升导通效率
- 极低的品质因数(FOM),效率更高
- 超快小型二极管
- 漏源击穿电压(VDSS)=650V,漏极电流(ID)=13A
- 导通电阻(RDS(on)):0.33 Ω(典型值)@栅源电压(VG)=10V
- TO-220F封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主板 / 显卡 / 核心电压
- 负载点 (POL) 应用
- 负载开关
- LED 应用
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