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WGF65R290G

650V N沟道MOSFET

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描述
这是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术,为线路提供更高的效率。可快速应用于新的和现有的离线电源设计中
品牌名称
Wild Goose(威谷)
商品型号
WGF65R290G
商品编号
C22376119
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.82克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@10V
耗散功率(Pd)50W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)17.3nC@10V
输入电容(Ciss)615pF
反向传输电容(Crss)6.88pF
输出电容(Coss)55pF

商品概述

该器件采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷条件下提供出色的导通电阻RDS(ON)。此器件适用于PWM、负载开关和通用应用。 该器件符合RoHS和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力,且通过了全功能可靠性认证。

商品特性

  • 在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 20 mΩ
  • 低米勒电荷
  • 低输入电容
  • 100%保证具有抗雪崩能力
  • 有绿色环保器件可供选择

应用领域

  • 电机驱动
  • 电动工具
  • LED照明

数据手册PDF