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G2003A
耐压:190V 电流:3A
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- 描述
- N沟道,190V,3A,540mΩ@10V
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G2003A
- 商品编号
- C239049
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 190V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 560mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
G2003A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 190 V，ID = 3 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 540 mΩ（典型值：430 mΩ）
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 560 mΩ（典型值：440 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装，散热性能良好
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关应用