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HSU4P25
1个P沟道 耐压:250V 电流:4A
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- 描述
- P沟道,250V/4A4R
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU4P25
- 商品编号
- C22359259
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HSBA30P15采用先进的沟槽MOSFET技术，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于各种其他应用。 HSBA30P15符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，且具备完整的功能可靠性认证。 P沟道150V快速开关MOSFET产品概述
商品特性
- 100%保证具有抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术