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HSU6905
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:23A
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- 描述
- N+P,60V/23A32mR,30mR
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU6905
- 商品编号
- C22359260
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,15A；30mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.56nC@4.5V；25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF@15V；2.245nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF@15V；241pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
HSU6048是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSU6048符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过耐雪崩能力（EAS）测试，具备完整功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%耐雪崩能力（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的dv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术