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HSH120N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:120A
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- 描述
- N沟道,200V/120A11mR
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH120N20
- 商品编号
- C22359317
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.07625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.52nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 467pF |
商品概述
HSP5N25 是高性能沟槽型 N 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSP5N25 符合 RoHS 和绿色产品要求，100%通过易感性雪崩测试（EAS），具备完整的功能可靠性认证。 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件 出色的 dv/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术