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SM4818PRL
双通道N沟道MOSFET,电流:8A,耐压:30V
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- 描述
- -
- 品牌名称
- SPS(美国源芯)
- 商品型号
- SM4818PRL
- 商品编号
- C235529
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 888pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
NCEP60T12AK采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 120A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 4.0mΩ（典型值：3.5mΩ）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 5.0mΩ（典型值：4.0mΩ）
- 出色的栅极电荷 × 漏源导通电阻（RDS(on)）乘积
- 极低的导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度175°C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行UIS测试
应用领域
- DC/DC转换器
- 适用于高频开关和同步整流
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