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SM4606PRL
N和P通道增强模式MOSFET,电流:6.5A,耐压:30V
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- 描述
- -
- 品牌名称
- SPS(美国源芯)
- 商品型号
- SM4606PRL
- 商品编号
- C235528
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
SM4606采用先进的沟槽技术，具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还可用于许多其他应用。
商品特性
- N沟道：VDS = 30V，ID = 6.5A
- N沟道：在VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
- P沟道：VDS = -30V，ID = -7A
- P沟道：在VGS = -10V时，RDS(ON) < 33mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
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