商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 肖特基二极管 | |
| 二极管配置 | 1对串联式 | |
| 正向压降(Vf) | 1.1V@200A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 800V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 200A | |
| 反向电流(Ir) | 10uA | |
| 工作结温范围 | -55℃~+150℃ | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 3kA |
商品概述
GeneSiC半导体的MSRT20060(A)至MSRT200100(A)硅标准恢复二极管，反向重复峰值电压VRRM为600V - 1600V，正向电流IF为200A。
商品特性
- 高浪涌能力
- 最高可达1600V的VRRM类型
- 三塔式封装
- MSRT250100A
- MSRTA30060AD
- MT29F256G08EBHCFB16E3WC1-F
- MT29F8T08EQLCHL5-QA:C TR
- MT29F8T08EULCHD5-T:C
- MT49H8M36SJ-25 IT:B TR
- MT53E1536M64D8HJ-046 AIT:C
- MTB1-12SAL1
- MTB1-60SL80
- MTD3010N
- MTFC512GBCAVHE-WT
- MTFC64GBCAQTC-WT TR
- MU10BCHTX-BOTTLE
- MUR1620CTH
- MUR1660CTH
- MUR20005CTR
- MURB1020CT-TP
- MURSB1660CTA-TP
- MURTA50020R
- MUSB-05-F-A-SM-A
- MUSB-05-S-A-SM-A