- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT53E1536M64D8HJ-046 AIT:C
汽车用LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E1536M64D8HJ-046 AIT:C
- 商品编号
- C22003163
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 96Gbit | |
| 工作电压 | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | 880uA | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能 |
商品特性
- 超低电压核心与输入/输出电源
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V，标称1.80 V
- VDD2 = 1.06 - 1.17 V，标称1.10 V
- VDDQ = 0.57 - 0.65 V，标称0.60 V 或 VDDQ = 1.06 - 1.17 V，标称1.10 V
- 频率范围：2133-10兆赫兹（每引脚数据速率范围：4266-20兆比特/秒）
- 16n预取双倍数据速率架构
- 每个通道8个内部存储体用于并发操作
- 单倍数据速率命令/地址输入
- 每个字节通道支持双向/差分数据选通
- 可编程读取与写入延迟
- 可编程及动态突发长度
- 支持每存储体定向刷新，便于命令调度
- 片上温度传感器用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 时钟停止能力
- RoHS兼容包装
- 可编程VSS端接
- 支持单端时钟与数据选通
- 工作温度范围：-40°C到+95°C，-40°C到+105°C，-40°C到+125°C